Ordet "flash memory" er nå på alles lepper. Begrepet "flash drive" og med første-klassinger i samtalen er ofte brukt. Denne teknologien med utrolig fart vunnet popularitet. Videre har mange analytikere spår at i nær fremtid flashminne vil erstatte lagringsenheter basert på magnetiske disker. Det som gjenstår er bare å observere utviklingen fremgang og dens goder. Overraskende mange snakker om dette nye produktet, nesten uvitende om at en slik flash-minne. På den ene siden, må brukeren til enheten arbeidet, og hvordan det utfører sine oppgaver - mindre saker. Men å ha minst en grunnleggende forståelse nødvendig å hver utdannet person.
Hva er flash-minne?
Som du vet, datamaskiner har flere typer lagringsenheter: minnekort, harddisker og optiske stasjoner. De siste to - det er elektromekaniske løsninger. Men RAM - fullt elektronisk enhet. Er en samling av transistorer på en chip montert en spesiell chip. Sin særegenhet ligger i det faktum at data lagres så lenge som basiselektroden til hver styretasten er strømførende. For tiden er vi senere ta en nærmere titt. Flash-minne er blottet for denne brist. lade lagring problem uten en ekstern spennings løses ved hjelp av flytende-port transistorer. I fravær av ytre påvirkning ladning i en slik anordning kan holdes i tilstrekkelig lang tid (minst 10 år). For å forklare prinsippet om drift, er det nødvendig å minnes de grunnleggende elektronikk.
Hvordan virker en transistor?
Disse elementene har blitt så utbredt at det er sjelden, der de ikke blir brukt. Selv banale lysbryter er noen ganger satt drevet nøkler. Hvordan fikk den klassiske transistor arrangert? Den er basert på to halvledermateriale, hvorav den ene har en elektronisk ledningsevne (n), og det andre hullet (p). For å oppnå en enkel transistor, er det nødvendig å kombinere materialer, slik som npn og hver blokk pluggens elektroder. På den ekstreme elektrode (emitter) spenning tilføres. De kan styres ved å endre størrelsen av potensialet på den gjennomsnittlige utgang (base). Fjerning skjer på samleren - den tredje ekstrem kontakt. Det er åpenbart at med forsvinningen av basisspenningen vil returnere til en nøytral tilstand. Men transistoranordningen med en flytende portunderliggende fleshek litt annerledes: fremsiden av halvlederbasismaterialet er det plassert et tynt lag av dielektrisk og den flytende porten - sammen danner en såkalt "lomme". Ved påføring av pluss spenning til basisen for transistoren som skal åpnes ved å føre en strøm som svarer til en logisk null. Men dersom porten for å sette en enkelt ladning (elektron), nøytraliserer dens felt virkningen av base bygning - enheten vil nekte til lukket (logisk enhet). Ved å måle spenningen mellom emitter og kollektor kan fastslå tilstedeværelse (eller fravær) av ladningen på den flytende porten. Å sette den ladning på porten ved hjelp av tunneleffekten (Fowler - Nordheim). For å fjerne nødvendigheten av å gjøre den høye ladning (9) til en negativ spenning, og en positiv basen og emitter. Belastningen vil forlate slusen. Siden teknologien er i stadig utvikling, er det blitt foreslått å kombinere den utførelsesform og en vanlig transistor med den flytende gate. Dette tillot "slette" lade en lav spenning og fremstille en mer kompakt enhet (ikke nødvendig å isolere). USB Flash-minne bruker dette prinsippet (NAND Structure).
Således, ved å kombinere disse transistorene i blokkene, var det mulig å skape en hukommelse i hvilken de registrerte data er teoretisk beholdes uforandret i flere tiår. Kanskje den eneste ulempen med moderne flash-stasjoner - antall skrivesykluser grensen.